8月10日，有全球知名電子科技媒體<電子發(fā)燒友>主辦的2022年汽車電子創(chuàng)新技術研討會在中國深圳成功舉辦。共有近200名來自各汽車電子相關企業(yè)的技術專家們蒞臨現(xiàn)場，帶來了最新的技術分享。

研討會上，賽晶半導體技術支持總監(jiān)馬先奎先生，發(fā)表主題報告“電動車用功率模塊的發(fā)展趨勢-從工業(yè)級到汽車級”。介紹了乘用車對功率模塊的技術需求，以及賽晶i20 IGBT芯片組、ED封裝IGBT模塊的優(yōu)勢及特點，并展示了面向新能源汽車領域的HEEV封裝SiC模塊，以及面向新能源發(fā)電和工業(yè)電控領域的ST封裝模塊。這是繼ED封裝IGBT模塊之后的又一力作，也是賽晶面對蓬勃發(fā)展的電動車市場做出的積極回應和對服務好客戶的意愿展示。

i20 IGBT芯片，采用FS-TRENCH結構、多項國際前沿優(yōu)化設計，具有低阻抗短溝道、先進的3D結構、N-增強層，使用TAIKO技術超薄基底、優(yōu)化的P+設計，以及窄臺面精細圖案、激光退火處理的場截止層和陽極等優(yōu)勢，多項國際前沿優(yōu)化設計帶來超低導通損耗和關斷損耗。

HEEV封裝SiC模塊是專為實現(xiàn)高效率電動汽車應用而開發(fā)，采用低損耗的SiC MOSFET芯片，以及壓注模封裝技術，因而能夠提升對濕度等惡劣環(huán)境的抵抗力。此外，還采用燒結、超聲波焊接等多種先進的封裝工藝，無基底直接冷卻(已申請專利)、鉗橋式結構等獨特的創(chuàng)新設計；模塊更小的體積（體積降低50%）、更低的損耗（連接電阻降低50%）、更高的可靠性（雜散電感降低40%），擁有高可靠性、良好的可控性、相同的額定功率。

研討會同期展覽，賽晶展出i20 IGBT芯片、d20 FRD芯片、ED封裝模塊、ST封裝模塊以及EV封裝模塊樣品，引發(fā)與會技術專家們廣泛關注，現(xiàn)場火爆程度超乎預期。許多與會專業(yè)人士紛紛到賽晶展位參觀和咨詢，與現(xiàn)場技術、銷售人員進行了深入的交流，并對賽晶將推出的新品抱有極大期許。

賽晶展示了自主研發(fā)的面向新能源汽車領域的HEEV封裝SiC模塊，以及帶來了賽晶IGBT最新前沿技術。憑借創(chuàng)新的產(chǎn)品理念、國際一流的研發(fā)實力、豐富的行業(yè)經(jīng)驗，以及國際頂級的技術專家團隊，賽晶科技及其子公司賽晶半導體在打造自主技術高端 IGBT產(chǎn)品的路上穩(wěn)步向前，始終致力于為電動汽車、新能源發(fā)電、工業(yè)電控等市場開發(fā)出具有國際一流品質的IGBT芯片和模塊產(chǎn)品。